MOS tranzistorjev je zgrajen je iz dveh tranzistorjev različnih tipov MOSFET tranzistorja ptipa in ntipa
zaporni plasti že dovolj visoka se pričnejo elektroni trgati iz valenčnih obel atomov in stečejo proti ntipu
in ti misliš da si ker nisi seksala ntipi spremenila svoj nagon
homogeni silicijevi ploščici ntipa imamo pri sobni temperaturi zaradi svetlobnih generacij homogen presežek
tej plasti vlada električno polje ki preprečuje da bi elektroni prehajali iz ntipa ptip polprevodnika
Kadar hočemo dobiti ntip polprevodnika moramo dopirati polprevodnik iz četrte skupine elementov elementom
ntipu silicija so vgrajeni rekombinacijski centri koncentracije Nt cm − ki vnašajo pasti meV pod sredino
Imam pa zate vprašanje Kako to da si skozi dala ntipov namesto da bi si našla enega in ga naučila kako
Ena od plasti vsebuje presežek pozitivnih ionov ptip polprevodnika druga plast pa presežek elektronov ntip
za primer ko imata oba materiala enako energijsko režo in za primer ko je energijska reža materiala ntipa
Na natančno izračunajte položaj fermijevega nivoja pri sobni temperaturi glede na intrinzični nivo ntipu
nivojev usmerniškega spoja kovinapolprevodnik termičnem ravnovesju če imamo prvem primeru ptip drugem pa ntip
Za rumeni del ntipa pise da je polprevodnik
nepopolne ioniziranosti izračunajte koncentracijo dodanih donorskih primesi aktivacijsko energijo meV ntipu
zanalašč sem zato napisala ntipov ampak ker je bilo ravno tipov že pred uporabljenih pa naj bo je